2003 Nov 07 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage diode BAS716
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage300
0
0
IF
(mA)
100 200T
amb
(
°C)
100
200
MHC323
Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
Fig.2 Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage300
0
0 1.60.4
0.8 1.2
V (V)F
100
200
MLB752 - 1
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage.
(1) Tj
= 150
*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
BAS85,135 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80C
BAS86,115 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
BAT1000-7-F DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOT23-3
BAT254,115 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD110
BAT400D-7 DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOT23-3
BAT42WS-7-F DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOD-323
BAT43W-7-F DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD123
BAT43XV2 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
相关代理商/技术参数
BAS716_12 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Low-leakage diode
BAS716115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Small Signal Diode
BAS716F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000
BAS78 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)
BAS78A 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diodes
BAS78B 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diodes
BAS78C 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diodes
BAS78D 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diodes